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中科大学生代表团参加合肥集成电路科技馆开业典礼暨胡正明院士报告会

发布者:李士博发布时间:2017-05-22浏览次数:971

中科大学生代表团参加合肥集成电路科技馆开业典礼暨胡正明院士报告会

为了响应国(guo)家大力(li)发(fa)(fa)展半(ban)导(dao)体(ti)微(wei)电子行业(ye)的(de)号召,激(ji)发(fa)(fa)我(wo)校学生对(dui)于学习集成电路的(de)学习热(re)情,了解学习半(ban)导(dao)体(ti)微(wei)电子相关专(zhuan)业(ye)的(de)前沿领域和基础知识,517日(ri)下午,应北京兆易创(chuang)新科技股份有限公公司邀请,在(zai)IEEE固态电(dian)路(lu)协会中国科大(da)学生(sheng)分(fen)会和中科大(da)微(wei)纳电(dian)子(zi)系统集成研究(jiu)中心的(de)(de)组织下,我校(xiao)微(wei)电(dian)子(zi)集成电(dian)路(lu)相关专业的(de)(de)研究(jiu)生(sheng)和本科生(sheng)40余位同学组成代表(biao)团,来到合肥集成电路科技馆(guan)参加科技馆(guan)的开业(ye)典礼仪式暨胡正明院士(shi)报告会(hui)。

活(huo)动的第(di)一部分是(shi)集(ji)体参加(jia)胡(hu)(hu)正明(ming)教(jiao)(jiao)授(shou)的讲(jiang)座(zuo),胡(hu)(hu)教(jiao)(jiao)授(shou)在讲(jiang)座(zuo)中详细讲(jiang)述了(le)自(zi)己带领团队发(fa)明(ming)FinFet的经(jing)历,并指出了基(ji)于FinFet结(jie)构近年来更(geng)新的(de)(de)半导体工(gong)艺(yi)结(jie)构,并指出(chu)半导体工(gong)艺(yi)还有着更(geng)大的(de)(de)发(fa)展空间(jian)。讲座间(jian)隙,胡教授还与(yu)我校同(tong)(tong)学(xue)(xue)们(men)热情互动,他鼓(gu)励同(tong)(tong)学(xue)(xue)们(men)坚定信念,努力学(xue)(xue)习,中科大是国家(jia)尖端(duan)微(wei)电子(zi)科学(xue)(xue)的(de)(de)重要科研(yan)和人才培养基地,国家(jia)尖端(duan)微(wei)电子(zi)集成电路事(shi)业必将(jiang)在同(tong)(tong)学(xue)(xue)们(men)的(de)(de)奋斗(dou)下迎来新一轮发(fa)展高(gao)潮。

活动的第二部分是参观集成电路科技馆,在解(jie)说员的精彩解(jie)说下,同(tong)学们(men)领略了(le)(le)中(zhong)国五千(qian)年来通信(xin)方式的变化,了(le)(le)解(jie)了(le)(le)半导体器件(jian)和电路的生产(chan)过程,深刻体会到了(le)(le)当(dang)今时代对于(yu)半导体行业发展(zhan)的迫切(qie)需求。

经过这次(ci)活(huo)动,同学们(men)对半导体集成电路(lu)发展(zhan)历程及其(qi)前沿方向都(dou)有了深(shen)刻的(de)了解(jie)和学习,相(xiang)信这次(ci)活(huo)动将(jiang)会激励科(ke)大人(ren)对于半导体行(xing)业的(de)学习热情,为祖国(guo)的(de)芯片事业的(de)富(fu)强和世界半导体行(xing)业的(de)繁荣做出贡献!

本(ben)次活动由北京兆(zhao)易创新科技股份有(you)限公公司、合(he)肥格(ge)易集成(cheng)(cheng)电(dian)路(lu)有(you)限公司、合(he)肥“兆(zhao)易集成(cheng)(cheng)电(dian)路(lu)科技馆”主办。中科大(da)学(xue)生代表团由IEEE固态电(dian)路协(xie)会中国科大学生(sheng)分会 (IEEE USTC-SSCS Student Chapter) 和微纳(na)电(dian)子系统(tong)集成研究中(zhong)心(xin) (USTC MESIC) 组织并全程协(xie)助参(can)加本次活动(dong)。


主讲(jiang)人介(jie)绍:

胡正明(Chenming Hu)教(jiao)授,微(wei)电子科(ke)学家。19477月出(chu)生(sheng)于(yu)中国北(bei)京。1973年获得美国(guo)(guo)加州大(da)学(xue)伯克利分校博士学(xue)位(wei)。现(xian)任美国(guo)(guo)加州大(da)学(xue)伯克利分校杰出讲座教(jiao)授、美国(guo)(guo)工程科(ke)学(xue)院(yuan)院(yuan)士、中国(guo)(guo)科(ke)学(xue)院(yuan)外籍(ji)院(yuan)士、前TSMC技(ji)术总裁,IEEE Fellow、美国(guo)国(guo)家技术(shu)和创新(xin)奖(jiang)获得者(zhe)、美国(guo)国(guo)家科学奖(jiang)章获得者(zhe)(奥(ao)巴(ba)马总统亲自(zi)为胡院士颁奖(jiang))。

胡正明教授是微电子微型化物(wu)理及(ji)可靠(kao)性物(wu)理研究的(de)一位(wei)重(zhong)要开(kai)拓者,对半导体(ti)器件(jian)的(de)开(kai)发及(ji)未来的(de)微型化做(zuo)出了重(zhong)大贡献。胡院士的(de)主要成就(jiu)为领导研究出BSIM,从(cong)实(shi)际MOSFET晶体(ti)管的复杂物(wu)理推演出数学模型(xing),该数学模型(xing)于1997年被国际上(shang)38家大公司参(can)与(yu)的(de)晶体管模型(xing)理(li)事会选(xuan)为设计(ji)芯片的(de)第一(yi)个且唯一(yi)的(de)国际标准(zhun);发(fa)明(ming)了(le)在(zai)国际上极受注目(mu)的(de)FinFET等(deng)多种新(xin)结构器件(jian);对微(wei)电(dian)子器件(jian)可靠(kao)性物理(li)(li)研(yan)究(jiu)贡献突出(chu);首(shou)先提出(chu)热电(dian)子失效的(de)物理(li)(li)机制,开(kai)发出(chu)碰撞电(dian)离(li)电(dian)流快速预(yu)测(ce)器件(jian)寿(shou)命(ming)的(de)方(fang)法,并且提出(chu)薄(bo)氧化层失效的(de)物理(li)(li)机制和用高电(dian)压快速预(yu)测(ce)薄(bo)氧化层寿(shou)命(ming)的(de)方(fang)法。首(shou)创了在器件(jian)可靠(kao)性物理(li)(li)的(de)基础上的(de)IC可靠性的计算机数(shu)值模拟(ni)工具。



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